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上传时间: 2021-01-19
详细说明：李海江，王守国，赵玲利，叶甜春（中国科学院微电子研究所，北京 100010）摘要：介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备，用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究。实验结果表明：在100mm硅片表面涂上9912光刻胶，用等离子体进行清洗的速率可达500nm/min，测量了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度之间的变化关系；并对离子注入（B+,5×1015cm-2）后的光刻胶进行了清洗实验，得到清洗速率为300nm/min。清洗后的电镜分析证明，经等离子体清洗后，硅片表面无损伤、无残胶。 关键词：常压；射频；等离子体；光刻胶；清洗 中图分类号：TN405.982;TN305.97 文献标
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