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上传时间: 2010-08-05
详细说明： 主要讲解nandflash的基本知识。目前FLASH 的技術可以分為SLC（Single level cell）、MCP（Multi Level Cell）、及MBC （Multi Bit cell）三種。 SLC 的技術在寫入資料時，是透過對Floating Gate 的電荷加電壓，透過Source 即可將 所儲存的電荷消除，如此一來即可儲存1 bit 的資料；NAND Flash 廠商中，包括Samsung、 Hynix、Micron 都是採這樣的技術。MLC 的技術則是在Floating Gate 中利用不同電位（Level） 的電荷，透過Memory Cell 的電壓控制、精準讀寫，假設以四種電壓控制、一個transisto 可存2 bits 的資料，控制八種電壓就可存3 bits 的資料，使Flash 的容量大幅提升。MLC 的技術領導廠商為Intel、Toshiba。由於在相同晶片大小，MLC 的容量是SLC 的一倍以上， Samsung 也投入MLC 技術研發、預計在2005 年第二季將推出產品。
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