[制造] solidworks转CAD配置文件.rar

说明：SolidWorks转CAD图层自动对应配置文件，附带配置文件安装教程，安装后sw工程图转CAD格式会自动划分图层、线性、颜色等
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[制造] A1SHB三极管，A1SHB芯片规格书

说明：无锡平芯微MOS管PW2301A，印字A1SHB，封装SOT23-3。P沟道MOS，低内阻，-20V-3A
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[制造] A2SHB芯片，A2SHB三极管应用规格书

说明：无锡平芯微MOS管PW2302A，印字A2SHB，封装SOT23-3。N沟道MOS，低内阻，20V3.2A
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[制造] A5SHB三极管，A5SHB芯片产品应用手册

说明：无锡平芯微MOS管PW2305，印字A5SHB，封装SOT23-3。P沟道MOS，低内阻，-20V-5A
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[制造] 平芯微8205A6，SOT23-6封装的pdf规格书

说明：平芯微8205A6，SOT23-6封装， N+N SOT23-6 20V ±12V 6A ≤24mΩ（ID=6A，VGS=4.5V）
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[制造] 平芯微TSSOP8封装的N+NMOS管8205A8.pdf

说明：8205A8采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A8是一颗双N沟道的低内阻场效应MOS管。双MOS的D极内部是连接在一起的。8205A8采用TSSOP8封装。
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[制造] F1F3,F1LE,F1CE电源芯片，SPT23-5封装IC产品规格书

说明：平芯微PW2057降压芯片，印字F1F9，F1F3，F1LE，F1CE是一个恒频、电流模式降压转换器。该器件集成了一个主开关和一个同步整流器，无需外加肖特基二极管就可以实现高效率。
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[制造] 五脚电源芯片F1F9,A19Q,A19W,A19E,A19R芯片规格书

说明：PW2058,PW2059电源芯片，A19Q,A19W,A19E,A19R,A19T,A19Y,A19U,A19I,A191,A19O,A190,A19P,A19A,A19S,A19D,A19F,A19G,A19H,A19J,A19K,A19L,A19Z,A19X,A19C,A19V,A19B,A19N,A19M.
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[制造] 7.4V转5V2A芯片，8.4V转5V2A电路图

说明：7.4V转5V，8.4V转5V，6V降压5V，7.4V降压5V，8.4V降压5V电路图，PW2162是一颗DC-DC同步降压转换器芯片，输入电压范围4.5V-16V，最大负载电流2A，可调输出电压
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[制造] A09T三极管，AO9T芯片产品应用手册

说明：PW3400A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3400A是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。
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[制造] A19T三极管，A19T芯片产品应用手册

说明：PW3401A具有比PW2301A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压 PW3401A基本参数：VDS = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 55mΩ VGS=-10V PW3401A采用SOT23-3L环保材质的封装形式。
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[制造] A79T芯片，A79T三极管产品应用数据手册

说明：A9T7三极管芯片，平芯微PW3407,PW3407采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3407是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
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