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[制造] MX116L.pdf
说明:该产品采用 H 桥电路结构设计,采用高可靠性 功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感性负载。 电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET,工作 电压范围覆盖 2V 到 7V。27℃,VDD=5V 条件下最大 持续输出电流达到0.6A,最大峰值输出电流达到1A。 该单路为功率器件,本身具备一定内阻,电路 的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度 密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路,实时 监控芯片内部发热,当芯片内部温度超过设定值时 (典型值 150℃),产生功率管关断信<rohmpk> 上传 | 大小:1mb