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硬件开发
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场效应管资料
说明:场效应管参数说明,远离介绍 应用手册.使用注意事项
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baidu_33911026
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硬件开发
]
开关电源电路详解
说明:开关电源开关电源开关电源开关电源开关电源
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chj1498227845
> 上传 | 大小:
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硬件开发
]
怀特反射池
说明:在传统怀特池的基本原理上,采用高斯光学分析方法推导出了多次反射怀特池的总光程和光斑分布的数学公式
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xiaofeng098
> 上传 | 大小:
504kb
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硬件开发
]
电源2596手册
说明:2596电源技术手册,学习资料。IL系类产品
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qq_34008176
> 上传 | 大小:
1mb
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硬件开发
]
P6KE系列二极管参数
说明:P6KE系列600W瞬态电压抑制器.doc
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qq_33850903
> 上传 | 大小:
260kb
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硬件开发
]
恒流电路的设计
说明:几种常见的恒流电路 几种常见的恒流电路
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plpllh
> 上传 | 大小:
165kb
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硬件开发
]
电源开关设计
说明:内部还有经典开关电源的设计原理图,30个范例
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labour1213
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硬件开发
]
高压DCDC 稳压芯片
说明:一般的DCDC 芯片都耐压在 40V 以内,这款芯处耐压超60V,是一款开关性 电源稳压降压芯片。
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daividli
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硬件开发
]
耐压80V 的开关稳压芯片
说明:一般的DCDC 芯片耐压在40V 左右, 而此款开关性稳压芯片可在高达80V 的DC电压 下稳定工作
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daividli
> 上传 | 大小:
572kb
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硬件开发
]
MOS管发热分析
说明:上图有两个问题:1、浮地电容太大,影响快速开关;2、高端驱动利用的是浮地电容中的电荷,选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容,尽量保证高端驱动时有足够的驱动电压。上图在每个高端MOSFET 的栅极和源极之间10K的电阻将迅速将电容中的电荷放光,使得栅极驱动电压下降。在栅极驱动电压下降的过程中,MOSFET进入放大区,管压降迅速增加
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heikewang19
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硬件开发
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锂电池充电基本常识
说明:充电电池分类和基本知识以及电池充放电常识
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dsgfdhhgfjbczbghg
> 上传 | 大小:
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硬件开发
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气压传感器BMP085的STM8程序
说明:此程序是STM8S版本的BMP085气压传感器驱动,已将调试通过,可正常运行
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niu992264815
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