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开发技术下载,其它下载列表 第55875页

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[其它] GivesMeHopeAndroidClient:出于教育目的的非官方Gives Me Hope Android客户端-源码

说明:GivesMeHopeAndroidClient(版本2.0。+)(已弃用) 出于教育目的,非官方的Gives Me Hope Android客户端。 该Android应用程序允许用户浏览 。 因此,它使他们可以查看最热门和热门的故事,对新故事进行投票并提交自己的故事。 免责声明:此应用程序是由与内容提供商“给我希望”及其附属公司没有任何关联的个人开发的。 此应用程序仅用于教育目的。 APK下载 来源 该资源向任何人开放,作为学习的教育资源。 该分支与“ old-v1”分支完全不同,因为它
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[其它] 透明锁存电路的分级优化

说明:透明锁存电路的分级优化
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[其它] One_Week_Of_Floyd_Protests-源码

说明:不再更新。 这是一份清单,旨在展示至少在乔治·弗洛伊德(George Floyd)抗议期间美国警察的野蛮行径和不当行为。 列表中的数量:299。可实现视频。 如果您想捐款,请访问 快速说明:除非特别说明,此处的“射击”并不意味着“实弹”。 “发烟”仅表示开枪,“加气”表示使用了某种气体,“喷雾”表示胡椒喷雾或狼牙棒。 “真正的枪”表示看起来像一个枪,我不是专家。 “记者”是一个总称。 “法律执行”被用作总称。 最后,请理解,这些视频只是正在发生的事情的摘要,并且总会有我们无法从观看中了解
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[其它] 基于接触力学的化学机械抛光Craft.io中的普通粗糙垫模型

说明:基于接触力学的化学机械抛光Craft.io中的普通粗糙垫模型
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[其它] 退火对非晶态Er2O3薄膜结构和电学特性的影响

说明:通过使用React蒸发将非晶Er(2)O(3)膜沉积在Si(001)衬底上。 本文报道了在氧气气氛中,随着退火温度的变化,结构,形态和电特性的变化。 X射线衍射和高分辨率透射电子显微镜测量表明,即使在700摄氏度退火后,薄膜仍保持非晶态。在450摄氏度退火的Er(2)O(3)薄膜的累积区域中的电容高于该薄膜。沉积的薄膜和在其他温度下退火的薄膜。 提出了Er(2)O(3)/ ErO(x)/ SiO(x)/ Si结构模型来解释结果。 退火后的薄膜还表现出低的漏电流密度(在-1 V偏压下约为1.38
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[其它] 用于抗反射涂层的非晶Er2O3膜

说明:本文报告说,通过射频磁控溅射技术将化学计量,非晶态和均匀的Er(2)O(3)薄膜沉积在Si(001)衬底上。 椭偏测量表明,Er(2)O(3)薄膜的折射率非常接近用于太阳能电池的单层抗反射涂层的折射率,该太阳能电池在其工作波长期间具有空气周围的介质。 对于90 nm厚的薄膜,在600 nm波长处的反射率最小值低于3%,加权平均反射率(400-1000 nm)为11.6%。 获得的特性表明Er(2)O(3)膜可能是太阳能电池中抗反射涂层的有前途的候选者。
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[其它] 聊天-源码

说明:Gatsby + Netlify CMS入门 注意:此入门程序使用 。 此回购包含使用和 : 构建的示例商业网站。 它通过使用Git作为单一事实来源来遵循,并使用进行连续部署和CDN分发。 特征 使用Netlify CMS构建的具有博客功能的简单登录页面 可编辑页面:具有Netlify Form支持的登录,关于,产品,博客收集和联系页面 从Netlify CMS创建博客文章 标签:每个标签下帖子的单独页面 基本目录组织 使用布尔玛(Bulma)进行样式设置,但通过purge-css-plu
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[其它] yyb_vue:云E办的前端项目-源码

说明:是的 项目设置 npm install 编译和热重装以进行开发 npm run serve 编译并最小化生产 npm run build 自定义配置 请参阅。
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[其它] 攻城-源码

说明:AngryBirdsStage3 阶段3愤怒的小鸟:介绍约束
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[其它] Tm2O3薄膜的带隙和结构​​表征

说明:使用金属Tm源和原子氧源通过分子束外延在Si(001)衬底上生长Tm2O3单晶膜。 利用X射线光电子能谱,原子力显微镜和高分辨率透射电子显微镜研究了样品的组成,表面形貌和微观结构。 可以达到具有0.3 nm的均方根粗糙度的非常平坦的表面,并在薄膜和Si衬底之间实现了清晰的界面。 紫外和可见光波长的光谱结果表明,Tm2O3薄膜的带隙为5.76 eV。
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[其它] 具有PLZT电光陶瓷偏转器的可调谐外腔二极管激光器

说明:提出并说明了一种稳定的可调谐二极管激光器,该激光器使用结合在Littrow型外腔中的电光偏转器作为波长可调谐元件。 偏转器由具有高二次电光效应的锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷制成。 PLZT电光陶瓷的两个半波片和一个大角度三角形电极设计用于获得高频-电压调谐比。 通过调节施加到偏转器上的电压,在780.5 nm处实现了420 GHz的大单模调谐范围(包括模跳)和840 GHz / kV的频率电压调谐比。
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[其它] 交换书-源码

说明:bookexchange.github.io
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