说明: 以射频器件面为layer1层 射频 基带 layer1: 器件 器件 layer2: signal 大部分地址和数据signal、部分模拟线(对应3层是地) layer3: GND 部分走线(包括键盘面以及2层走不下的线)、GND Layer4: 带状线 需穿过射频的基带模拟控制线(txramp_rf、afc_rf)、音频线、 基带主芯片之间的模拟接口线、主时钟线 Layer5: GND GND( Layer6: 电源层VBAT、LDO_2V8_RF(150mA)、VMEM(150mA)、VE
<recy666> 上传 | 大小:34kb