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上传时间: 2018-05-02
详细说明： 本文首先介绍了电子器件计算机模拟的分类、MOSFET的建模发展动态、对器 件模型的要求以及模型参数的提取方法。在第二章中建立了MOS晶体管在直流端 电压条件下的工作模型;第三章推导了MOSFET的大信号模型,这两类模型不同 于传统模拟软件例如PSP工CE中的等效电路模型,而是从模型方程出发,采用数 值模拟的方法,提高了模拟的精度。第四章和第五章分别建立了MOS晶体管低频、 中频、高频的小信号模型,虽然借鉴了PSP工CE模拟软件中用等效电路模型的方 法,但是本文分别讨论了准静态和非准静态时器件的本征部分以及包含非本征部 分工作于低频、中频和高频条件时的模型,可以根据这些模型编写相应的模拟软 件,这样在做器件的模拟分析与器件设计的时候,
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