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GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4º异质外延的比较研究
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上传时间: 2020-03-05
详细说明:GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4º异质外延的比较研究,冯建友,任晓敏,采用金属有机化学汽相沉积法(MOCVD)在Si衬底上外延生长GaAs层,对比了晶向为(100)面无偏角和(100)面向[011]方向偏4º的Si衬底,并�
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