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Hexagonal gallium nitride film with micron thickness fabricated by nitridation of Mg doped beta-type gallium oxide cryst
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文件大小: 523kb
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上传时间: 2020-02-10
详细说明：氨化掺镁的氧化镓制备微米厚度的氮化镓薄膜，王亮玲，郝良振，在氧化镓单晶的(100)解理面上，利用氨化技术制备了微米厚度的GaN薄膜。制备后的GaN薄膜具有小的空洞，表明薄膜生长机制是三维生长的V
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