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Growth and characterization of N-doped p-type ZnO films grown by low pressure plasma-assisted MOCVD with N2O RF plasma d
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文件大小: 300kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-02-05
详细说明：MOCVD法以N2O射频等离子体掺杂技术生长高质量p型ZnO薄膜，杨天鹏，边继明，采用新型的低压等离子体辅助金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术，以N2O射频等离子体为掺杂源在（0001）蓝宝石单晶衬底上生长N掺杂Zn
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