东南大学信息学院模拟电路期中试卷 2013年期中东南大学信息学院模拟电路期中试卷答案考研

文件名称: 东南大学信息学院模拟电路期中试卷 2013年期中

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详细说明：东南大学信息学院模拟电路期中试卷答案考研复试529 真题资料在如图所示电路中,晶体管的β=150,V=-100V, VBom=0.7V,试求o,VcEQ’并画出该电路的小信号等效电路,求输入电阻R,输出电阻R。,电压增益A,。设各电容对交流呈短路。 -vCc(15V) RBi R boko 6.6k T R R R +B2 13.2k 15k 100g R 七2 C 2.2k E Ri R 在如图所示P沟道 EMOSFET电路中,已知kCW(2)=05mAy2 VGs-V,设VA=100V,试求DQ’VDsQ,gm和r V SS (5V) RG1 3MQRs 2kQ RG2 2MQ D 4kQ 分析如图所示两个电路的工作原理,并写出输出的逻辑表达式。 DD A D D E E B B A B B D E D E A 试画出下图所示MOS电路的交流小信号等效电路, 指出T1和T2在电路中的作用,并给出小信号电压增益的表达式 DD ○↓ 在图所示电路中,三极管特性相同,场效应管的特性也相同。已知| V)|=0.7,B=200,(w)2=1.5/0 WD2=6/0.3。忽略基区宽度调制效应和沟道长度调制效应。试求各电阻流过的电流l1~ Ver(5 V) Vcc(10 v) T T? T R R ike k R3 10 kn R R Ikn 1kn T R R T lake IkQ T EE〔-10V) 在下图所示差分放大电路中,已知双极型晶体管的参数为:B=100,→0,ma-06V,T1~T4管的|=75 Ⅳ7、T8管的队|→>∞。场效应管T5、T6的参数相同。试求电路的差模输入电阻和差模电压增益 VCC T T4 R 10ko T 十 T8 R2 T6 RI vss(-6v)H T52.7k 在图所示电路中,各晶体管参数相同:b'十rbt =k,B=100,R1=3k。忽略基区宽度调制效应。试求该电路输入电阳R和电压增益A, 1

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