SM7523 恒流原边控制功率开关.pdfSM7523 恒流原边控制功率开关pdf,SM7523 恒

文件名称: SM7523 恒流原边控制功率开关.pdf

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详细说明：SM7523 恒流原边控制功率开关pdf,SM7523 恒流原边控制功率开关SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 极限参数极限参数(TA=25℃) 符号说明范围单位 VDD 芯片工作电压 -0.3~6 FB输入电压 cs输入电压 -03~7.0 A 工作温度 g 存储温度 40~150 人体放电模式 Rea 热阻 ℃ VDs耐压 -0.3~730 电气工作参数 (除非特殊说明,下列条件均为TA=25℃,VD=6V) 范围符号说明单位最小典型最大 ICC 静态电流 -250 A 内部供电电压 Vos 电流检测阈值 620 前沿消隐时间 450 VF FEMIN FB最小阈值 300 VEEMAX FB过压阙值 V T DEM MIN 最小消磁时间 DMAX 最人占空比 42 导通电阻 Ohm ByD 抗击穿电压 730 Vcc uvlo vcc欠压保护阈值 4 V SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 功能表述 ◆SM7523芯片是应用于离线式小功率ACDC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片,全电压输入范围内,恒流输出精度小于±5%。SM7523芯片通过原边采样的方式来控制系统的输出,内部集成高压工艺,节省光耦和TL431等元件。芯片内部集成了逐周期峰值电流限制,FB过压保护,输岀开/短路保护和开机软启动等俣护功能,以提高系统的可靠性。 ◆启动和控制 SM7523芯片内部集成高压功率开关,通过高压启动,省掉传统电路的外部启动电阻,以及辅助绕组的供电电路,极大的降低了系统成木。工作原理 SM7523芯片要实现原边高精度的恒沇控制,反激电源应用系统必须工作在不连续模式(DCM)下。芯片通过检测原边辅助绕组的反激电压,来控制输岀电流电压。输岀电流仅由变压器的匝比及峰值电流控制: 1o=2/7×N×p 注:|o为输出电流;N为变压器匝比 ◆工作频率 SM7523芯片亓关频率由负载大小来控制,不需要外接频率设置元件(最大开关频率要小于65K)。在不连续模式的反激电源中,最大输出功率为: Po=。xL P SWp 其中Lp为原边绕组电感量,l为原边绕组峰值电流。由公式3可知,原边绕组电感量的改变会导致最大输出功率和恒流模式下输岀的恒流电流旳变化。亼了补偿原边电感量变化,芯片内部环路将开关频率锁定,锁定的开关频率可表示为 4 7×T DEMAG 因为消磁时间TDEMε和电感量成反比,通过频率锁定,Lp和Fsw的乘积保持不变。所以最大输出功率和恒流模式下的恒流电流不会随原边电感量变化。SM7523芯片能最大补偿电感量±10%的变化。 ◆电流检测和LEB sM7523芯片通过∂S端检测外置检测电阻上的电压控制功率开关管的动作,从而实现对变压器原边电流控制,提供逐厝期峰值电流限制。丌关电沇通过外接的检测电阻输入芯片CS肽为了消除扃压功率管在丌启瞬间产生的尖峰造成的干扰,内置前沿消隐电路,避免芯片在功率管开启瞬间六生误动作,这样就可以省去外围RC滤波电路,节约系统成本。保护控制 SM7523芯片完善的各种保护功能提高了电源系统的可靠性,包括:逐周期峰值电流限制,输岀短路保护 FB过压保护,软启动控制等。 4 SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 PCB layout注意事项 U1 Naa ∴自时们,的数果人间,的生 ◆FB脚布线时,一定要远离高压环路,冋距≥1mm以免受到干扰、 SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 典型应用方案 SM752312V300 MALE高端照明应用方案原理图: D6 DC+ D1 D2M: R6 圍 E3T$R4 C2R23 R5TC3 F1 DC C 1 E1E2U1)SM7523 ACin 2 R3本D5 EMI元件,认证所需 D3D4 吸收电路 (在变压器漏感控制在 R1s 5%以内可省掉吸收) EMI元件,认证所需 BOM表: 位号参数号参数 D1、D2、D3、D4、D5RS1M 10uF/35V D SS110 C1 1uF/16V R1 2.491206 R2 43K C3 1021KV R3 1M/1206 R4、R6 20K/1206 F1 05A250V R5 120K/1206 EE13 E1 2.2uf400 1mH/1W E2 4.7uf400V 102/250 变压器参数: NC 2 n3 用三层绝 1 缘线绕制 n1 NC NC 俯视图进线制作说明 1.骨架EE:13(4+4)卧式PC40磁变压器绕制方法 2.电感量Lp(2+1)=2.6mH,漏感为Lp的5%以 3.初级对次级打3000VAC漏电流<2mA/60s N3(NC一NC)①0.25*1*26T 4.初级对磁芯打1500VAC漏电流<2mA/60s N2(2-1)①0.19*1*124T 5.次级对磁性打1500ⅴAC漏电流<2mA/60s 1(1-NC)Φ0.19*1绕满一层 6.DC500V绕组与磁芯之间1min大于100mΩ 7.DC500V绕组与绕组之间1min大于100mΩ 6 SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 ◆SM752360V/60 ma bucK-boost电源方案原理图: DB 1 R2 AC sM7523 C4 R3 R1 DC BOM表: 位号参数位号参数 MB6S C2 D1 ES1J C3 15PF R1 2.491206 C4 10uF/1206 R2 75K F1 10R线绕电阻 2M1206 24mh/饱和电流>300mA R4 120K U1 SM7523 41400 SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 ◆SM7523传导图片 L线 E|工 TEST REPORT ---“--“““"--“"-----"· parameter Organization Operator EUT. Place Ti 201211713715: 5 Test equipment KH3935 Detecto PK是Av Test-time[ms: 20 SN:1135217 EN55022B Transductor(PKAT]: PK-1/AT-1 Remark ---------- frec, step Start[MH乙] End[Mhz Step[MHz 0.150 2.000 0.002 2.000 0000 0.010 10.000 30.000 0025 uIt dUn 10D 90 P====-T-== 0 60 50 30 20 贴的 10 0.50 1.00 5,00 10.00 0.150MHz 30,000 MHZ SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 EM工 TEST REPORT arameter Organization EUT Place. 20121151315:54 Test equipment: KH3935 Detector PK+AY Test-time[ms]: 20 sN;1135217 Limit EN55022B Transductor(PkAr]: Pr-1Av-1 Remarka Start(HzI End(MHz Step[MHz 0.150 2.000 0.002 2.000 10.0UU 0.010 10.0Dt 30.000 0.025 ------------------------- scan result d But 10 90 80 70 6l 50 30 M 20 10 0.5U 50U 1000 0.150MHz 30.UIU MHZ 9 SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 封装形式 SOP COMMON DIM三 NSIONS UNITS OF MEASURE=MILLIMETER) SYMBOL R1 R 0.38 051 037042047 0.25 04 0.10 1L1 E1 400 0.45 00.80 L2 「R 02 13 日3 19 04 NDEX BASE METAL section B-B NOTES ALL DIMENSIONS MEET JEDEC STANDARD MS-012 AA DO NOT INC_UCE MOLD FLASH OR PROTRUSICNS 10

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