矽瑞微科-MOS-CR12N65.pdf矽瑞微科-MOS-CR12N65pdf,场效应管 CR12N

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详细说明：矽瑞微科-MOS-CR12N65pdf,场效应管 CR12N65的规格书，介绍了包含特点、应用、参数、特性尺寸、机械封装等维度的信息。然深圳面微科电千有眼公 TEL0755-83953497 FA:0755-83953597 N沟道功率Mos管 N-CHANNEL POWER MOSFET ●特性曲线 150 30V V=10y sc.am:45￥十口!二二+二子十二二二+1 s叶一 1250PT 2T=2c ′ce:T=25c Drain arren Vre, Drain- Source Voitage M A 图1输出特性曲线,Tc=25℃ 图2导通电阻与漏极电流和栅极电压曲线 Fig l Typical Output Characteristics, Tc-25C Fig2 On-Resistance Vs Drain Current and Gate Voltage 二二2122 二二二二二二二|=二二二二二二二 =二F=-2-+ -- E- 后 ====子===扌=士====H========二二 ==:15C =======-=-==--=二= --1----1-Nn= 2l-475A 2 250u5Rse Test 100 T, Junction Teperature [C] an, Source-Drain voltage M 图3导通电阻与温度曲线图4二极管正向电压曲线 Fig3 Normalized On-Resistance Vs Temperature Fig4 Typical Source-Drain Diode Forward Voltage T 图5最大漏极电流与壳温曲线 Fig5 Maximum Drain Current vs Case temperature 20739 深市的微科电千白眼公回 TEL0755-83953497 FA:0755-83953597 N沟道功率Mos管 N-CHANNEL POWER MOSFET ●特性曲线 pe ann Ths Area ++ +- sLated by R sn n Ths Area 日 10 2-5 100 上士士士日=1ms= 10E- 10m 乙上日二二三3非日三三三E主日 " Nte 1.T=2C - Ntee 2T=15c a. SrgePke 3 Sage Puse urce Voltage M ource Voltage M 图61SIF12N65C(IO-220) 4 6-2 SIF12N65CTO-220FP) 最大安仝工作区曲线最大安仝工作区曲线 Fig6-1 Maximum Safe Operating Area Fig6-2 Maximum Safe Operating Area i semiconductors 2073. 9 然深市的微科电刊白眼公回 TEL0755-83953497 FA:0755-83953597 To220封装机械尺寸 TO-220 MECHANICAL DATA 单位:毫米/NT:mm 符号|最小值典型值|最大值「符号最小值典交值最大值 SYMBOL mn nom max SYMBOL nom max A 4.00 4.80 E 9.90 10.70 1.20 1.50 e 2.54 B1 1.00 1.40 F 1.10 1.45 b1 0.65 1.00 12.50 14.50 0.35 0.75 3.00 350 4.00 D 1500 16.50 Q 2.50 3.00 D1 5.90 6.90 Q1 2.00 3.00 3.60 3.90 E PP B b1 仙 20739 深圳市砂瑞微科电子有限公言 TEL0755-83953497 SHENZHEN CHIPRUI MICRO-TECHNOLOGY CO. LTD FA:0755-83953597 To220FP封装机械尺寸 TO-220FP MECHANICAL DATA 单位:毫米儿UNT:mm 符最小值典型值最大值符号最小值典壅值|最大值 SYMBOL nom 1a SYMBOL nOu maX A420 4.75 e 2.54 A 2.30 2.90 12.50 14.30 0.45 0.90 9.10 10.05 b 1.10 1.70 15.00 1600 C 0.35 0.90 3.00 4.00 14.50 17.00 p 3.00 3.50 D1 6.10 9.00 2.30 2.80 E 9.60 10.30 20739 6

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