半导体存储器的工作原理.pdf半导体存储器的工作原理pdf,本文介绍了ROM存储器，RAM的结构及工

文件名称: 半导体存储器的工作原理.pdf

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详细说明：半导体存储器的工作原理pdf,本文介绍了ROM存储器，RAM的结构及工作原理，TMS4116的刷新，4116芯片的读、写周期时序等内容。存储器芯片 A n-1~0 D m-1~0 R/ 电源 CS 地线内部存储结构:字片式、位片式字片式结构的存储器(64字×8位) wo 存佬单元 A0 0.0 037 Al WI 42 址 A3-> 地址寄存器线存佬盘4 63 阵列鸟5 630 53 63.7 时序挖制读写电路读写电路读写电踣 Rr CS D DI D? 挖制线嫩据线单译码方式(一维译码):访存地址仅进行一个方向译码的方式每个存储单元电路接出一根字线和两根位线存储阵列的每一行组成一个存储单元,存放一个8位的进制字行中所有单元电路的字线联在一起,接到地址译码器的对应输出端。 ③ 6位访存地址经地址译码器译码选中某一输出端有效时, 与该输出端相联的一行中的每个单元电路同时进行读写操作,实现一个字的同时读/写。存储体中共有64个字,每个字为8位,排成 64×8的阵列。存储芯片共需6根地址线,8根数据线,一次可读出一个字节。存储体中所有存储单元的相同位组成一列, 列中所有单元电路的两根位线分别连在一起, 并使用一个读/写放大电路。读/写放大电路与双向数据线相连。读/写控制线R/w控制存储芯片的读/写操作。片选控制线CS CS为低电平时,选中芯片工作 CS为高电平时,芯片不被选中 CSR/W操作 0-0 0 读未选中字片式结构存储器芯片,由于采用单译码方案有多少个存储字,就有多少个译码驱动电路, 所需译码驱动电路多。双译码方式(二维译码):采用行列译码的方式,位于选中的行和列的交叉处的存储单元被唯一选中。采用双译码方式的存储芯片即位片式结构存储器芯片位片式结构的存储器芯片(4K×1位) 鸟6 ,0 0.1 063 鸟了行地址 A3 行地址寄存器行x1 地址译码器 10 1,1 1,63 A10 存储阵列 63 A11 63,0 63,1 63,63 数据线(一位输入数据寄存 R/W )输出人解电路 1 Y 列地址译码器时序控制列地址寄存器 RWN Cs 点2 真3真4 列地址 4096个存储电路,排列成64×64的阵列问:需「位地址分为6位行地址和6位列地址给地址→→行、列译码一→选中对应单元分别选中一根行地址线和一根列地址选择线行地址线:选中一行中的64个存储电路进行读写操作列地址线:选择64个多路转接开关,控制各列是否能与读/写电路的接通。

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