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MOSFET管开关电路基本知识总结.pdf.pdf
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上传时间: 2019-09-14
详细说明：MOSFET管开关电路基本知识总结.pdfpdf,MOSFET管开关电路基本知识总结.pdf般来讲,三极管是电流驱动的, MOSFET是电压驱动的,因为我是
用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用 MOSFET做,这样也可以节省系
统功耗吧,在做开关管时有一个必頒注意的事项就是输入和输入两端
间的管压降问题,比如个5的电源,经过管了后可能变为了4.5V,
这时候要考虑负载能不能接受了,我曾经遇到过这样的问题就是负载
的最小工作电压就是5V了,经过管子后发现系统工作不起来,后来才
想起来管子上占了一部分压降了,类似的问题还有在使用二极管的时
候(尤其是做电压反接仸护吋)也要注意管子的压降问题
开关电路原则
a.BJT三极管 Transistors只要发射极巳对电源短路煎是电子开关用法
N管发射极E对电源负极短路.(搭铁)低边开关;e正向电流饱和导通
P管发射极E对电源正极短路
高边开类be反冋电流饱和导通
b.FET场效应管 MOSFET只要源极S对电源短路就是电子开关月法
N管源极S对电源负极短路.(搭铁)低边开关;栅-溟正南电压导通
卩管源极S对电源正极短路
高边开关;栅-源反向电压导通
总结:
低边开关用NPN管
高边开关用PNP管
三极管b-e必须有大于C-E饱和导通的电沉
场效应管理论上栅-源有人于漏-源导通条件的电压就就OK
假如原来冂NFN三极管作ECU氧传感器加热电源控制低边开关
则直接用N- Channel场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻
基极--极
集电极-漏极
发射极-源极
上面是在一个论坛上摘抄的,语言通俗,很实用,
5:943
v
RuT
10k
100k
Vnw 10k
长
9013
开
IN148
关
GND
这是从方佩敏老师写的文章
里摘抄的一个开关电路图,
用 PMOSFET构成的电源自动切换开关
在需要电池供电的便携式设备中,有的电池充电是在系统充电,即充电时电
池不用拔卜来。另外为」节省功耗,需婁在插入墙上适配器电源时,系统自动切
换为适配器供电,断开电池与负载的连接;如果拔掉适配器电源,系统自动切换
为电池供电。本电路用一个 PMOSFET构成这种自动切换开关。
图中的ⅤBATT表示电池电压,ⅥINAC表示适配器电压。当插入适配器电源
时, VIN AC电压高于电池电压(否则适配器电源就不能对电池充电),
Vgs沁U,MUSE截止,系统由适配器供电。拔云适配器电源,则栅极电压为零,
而与 MOSFET封装在一体的旌特基二极管使源电压近似为电池电压,导致vgs
小于 vast, MOSFET导通,从而系统由电池供电
V BAIT
U5 skIn
IRF 7416
上面也是从网上摘抄的开关电路图.
总结以上知识,在选 MOSFET开关时,首先选MOsS管的DS电压,和其
VGS开启电压,再就是ID电流值是否满足系统需要,然后再考虑封装
了,功耗了,价格了之类次要一些的因素了,以上是用P沟道Mos管做
的例子,N沟道的其实也是基本上一样用的
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
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