电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍.pdf电子技术基础知识存储器、复杂可

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详细说明：电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍pdf,本文档的详细介绍的是电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍主要内容包括了： 1 只读存储器，2 随机存取存储器，3 复杂可编程逻辑器件，4 现场可编程门阵列，5 用EDA技术和可编程器件的设计例题概述半导体存储器几乎是当今数字系统中不可缺少的组成部分,它可以用来存放大量二值数据。半导体存储器属于大规模集成电路。 SRAM( StatIc ram):静态RAM RAM (Random- 存倍 )Acess Memory)( DRAM(Dynamic RAm):动态RAM 固定ROM ROM PROM Read-Only Memory EPROM 可编程 ROM E2PROM Flash 71只读存储器 RAM随机存取存储器在运行状态可以随时进行读或写操作存储的数据必须有电源供应才能保存,一旦掉电,数据全部丢失。 ROM只读存储器在正常工作状态只能读出信息,不能随时写入,所以称为只读存储器 ( Read-Only Memory) 常用于存放固定信息(如程序、常数等),断电后信息不会丢失,其数据由专用装置写入。 71只读存储器 71.1ROM的定义与基本结构存储器由存储阵列、地址译码器、输岀控制电路三部分组成。如图。许多存储1位二值数据的存储单元排列成矩阵形式,组成存储阵列; 地址输地址译码器存储阵列存储阵列按一定位数进行编组,每次读出一组数据,组称为字,字的位数控制信号输入∑输出控制电路称为字长。每个字赋予一个编号,称为地址。数据输出地址译码器将输入的地址代码译成相应的字单元控制信号,控制从存储矩阵中选岀指定的存储单元组,将其中的数据送到输出控制电路。输出控制电路一般包括三态缓冲器,以便与系统的数据总线连接。在控制信号作用下,将地址信号指定的存储单元组的数据输出。 71只读存储器 71.1ROM的定义与基本结构基本概念地址字与字长:表示一个信息多位二进制码 000 称为一个字,字的位数称为字长。 D3 D2DDo 地址:每个字的编号 0000字字数:字的总量。字数-2"(n为存储器 0010010 外部地址线的线数) 0100010 0110111 存储容量(M):存储二值信息总量。 100010 M=字数×位数 1010111 A RD 看一个字长为4,地址线的线数n=3, 0 100111 0 d11100 字数=23=8的存储器。 M=字数x位数=2×432地址线控制信号 71只读存储器 71.1ROM的定义与基本结构 +5V ROM结构示意图字线与位位线 R R R R 字线线的交点存储阵列是一个存储单元。 Y 0 2根地址A-A Y 线,字长0 为4,字 2线-4线数为4, 译码器Y3 输出控制电路存储容量 16。 OE D D 3 Do 水《》 71只读存储器 71.1ROM的定义与基本结构 +5V ROM结构示意图交点处有二极管相当位线 R R R R 字线存储数据1,无二极存储阵列管相当存储数据0。 0 0 在地址和控制信号 A Y 0 作用下数据输出 (Ao 0 0 OEJAJAO D3D2D,Do 2线-4线译码器Y3 0 输出控制电路 OE D 0 71只读存储器 712二维译码 DD 如果采用前面的译码方式,构成一个28×1 R R···∏R R 位的ROM,即字数 0 7 34 256,字长为1,则译线y1 6 A2 码电路非常庞大。实 16 A1 线际ROM采用行译码和 4 译 0 列译码的二维译码。码 14 器行译码器:416译码 15 爷; 0 14 15 列译码器:16—1数据 3 0 14 15 2 16线一践数据选择器选择器; 0 Y 0 71只读存储器 712二维译码交点处有MOS管相当存储 DD 0,无MOS管相当存储1。 R R···∏R R 如:AAA44A3A2A1A04,一4 0 =00010001 线Y1 6 A AAA34=000,1Y=1,4-~线使得I1、I14为0; 4 译 0 A3A2A1A0=0001,选择I 14 器输出,即D6-1=0。 15 行译码器选出要读的一行, 0 14 15 列译码器再从选中的一行A 0 14 15 2 16线一线数据选择器存储单元中选出要读的一 0 Y 列的一个存储单元 00

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