DC/DC 开关电源设计与挑战.pdfDC/DC 开关电源设计与挑战pdf,DC/DC 开关电源设计

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详细说明：DC/DC 开关电源设计与挑战pdf,DC/DC 开关电源设计与挑战1非隔离开关电源拓扑 2外部元件选择 3PCB布板 4DC/DC开关电源评估 5借助 Maxim方案简化设计 3 Maxim Integrated Company Confide T mtegrated 非隔离电源拓扑 OUT OUT Boost Buck OUT Buck/Boost 4 Maxim Integrated Company Confide T mtegrated 非隔离电源拓扑Buck Vout ⅦnCna1oN D101 OFF Cou! 1 RL Vds-Q1 Vi Vd-D1 Ton: VLf= Vin-Vout=Lf*AILf/D*T Toff: VLf=-Vout =-Lf* AILf/[(1-D)*TI Vin-Vout -out lLi-max (Vin-Vout)*D*T= Vout(1-D*T Lf-min Ton Toff Vout =D Vin ccM(|out≥Af/2) 5 Maxim Integrated Company Confide T mtegrated 非隔离电源拓扑-Buck 对于大电流设计,用 MOSFET替代二极管,以提高效率。这种架构称作同步整流buck转换器 Lf YYY Vout Dead Q1 time Vin Cin D1 Cout gs-Q1 gs-Q2 Vout Q1 Cin Cout IRL Vout=d* vin 6 Maxim Integrated Company Confide T mtegrated 非隔离电源拓扑如何选择合适的拓扑? 对于非隔离电源设计,可以根据输入、输出电压的关系选择合适的拓扑。 Buck Vout=d* vin Boost out= Vin /(1-D) Buck/Boost Vout=-D*Vin/(1-D) 7 Maxim Integrated Company Confide T mtegrated 1非隔离开关电源拓扑 2外部元件选择 3PCB布板 4DC/DC开关电源评估 5借助 Maxim方案简化设计 8 Maxim Integrated Company Confide T mtegrated 外部元件选择选择 MOSFET 额定电压和额定电流开关频率(fsW越高、输入电压n越高,要求 MOSFET的栅极电荷(Qg越低,以降低开关损耗。较高的栅极电荷(Qg)会导致较大的驱动损耗低导通电阻[Rds(on) 9 Maxim Integrated Company Confide T mtegrated 外部元件选择选择电容电容值额定电压电容类型和等效串联电阻(ESR) 品度范围、温度系数封装和等效串联电感(ESL) 10 Maxim Integrated Company Confidential T mtegrated

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