进口芯片替代芯片汇总-MS1002.pdf3瑞盟科技 MS1002 电气参数推荐使用的工作条件 S

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详细说明：进口芯片替代芯片汇总-MS1002.pdf3瑞盟科技 MS1002 电气参数推荐使用的工作条件 Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Vcc Core supply voltage Vioce 1.8 Vio /0 supply voltage 1.8 Normal input rising time 50 ns Normal input falling time 50 ns Schmitt trigger rising time ms Schmitt trigger falling time ms T lent temperature Ti must not 40 120 exceed 125c 包括品振管却ⅩN,XOUT,Clk32In,Clk320ut 直流电特性(Vio-vcc-3.0V,Tj--40到+85°C) Symbol Parameter Conditions Min Typ MaxUnit I32 Current 32 khz Icc Iio, only A 32kHz oscillator running Vcc 3.6V Ths Current 4 mhz Icc lio, onl 260 LLA ClkHS running t. at 4 MHz Vcc =3.6V Itmu Current time measuring unit only during 15 measurement Iddy Quiescent current all clocks off 150 V85°C Input Leakage current Voh High Level Output Voltage Loh= tbd mA Vio- V Vio=Mir 0.4 Vol Low Level Output Voltage Iol- tbd mA 0.4|V Vio=Min Vih High Level Input Voltage LVTTL Level, Vio 2.0 X Low Level Input voltage LVTTL Level, Vio Min Vth High Level Schmitt Trigger 2.4 V 杭州瑞盟科技有限公司版本号:1.32013.12 Http://www.reimon.com 共45页第3页 3瑞盟科技 MS1002 Voltage VtI Low Level Schmitt trigger 0.6 1.8 oltage Wh Schmitt Trigger Hysteresis 0.1 终端等效电容 Terminal Condition Rated value Unit Mi Max Input measured vcc 10 pF O Output 10 Bidirectional f- 1 MHz, 10 25°C 转换器参数时间测量单元(V=V-3.0V,T-25℃) Symbol Terminal Condition Rated Value Unit Min LSB Vio= cc=3.3 v 25°C 85°C ps 3.3V 63 Vio= v 2.75V 2.5V 2.25V 38 76 156 Standard Deviation Vio3 3 V, Vcc 2.75 V 2.5V 3 V Ta=25°C 50 温度测量单元 Symbol Terminal ondition Rated value Unit Mi T Resolution rms Vio= vcc =3.3 v 16.0 Bit PT1000 96 Absolute Gain-Error 150 nI Capacitance Gain drift vs. vio 0.08 %/V Gain-Drift vs. Temp 0.0008 Uncalibrated offset 01 Offset Drift vs. Temp K PSRR 100 dB 杭州瑞盟科技有限公司版本号:13201312098 Http://www.reimon.com 共45页第4页 3瑞盟科技 MS1002 时序如果没有特别说明,以下特性参数均是在V-3.3V±0.3V,环境温度为-40°C~+85°C的条件下测量得到的。振荡器 mDO Parameter T Max nit Clk3232 KHz reference oscillator 32,76 kHz toszst oscillator start up time with ceramic 200 μs resonator toszst Oscillator start up time with crystal ms oscillator ClkHS High-speed reference oscillator MHz 串行接∏ Symbol Parameter Max. a vio Unit 2.0V2.5V3.3V fclk Serial clock frequency 20 MIz tph Serial clock, pulse width high 50 20 ns tpwl Serial clock, pulse width low IIs tsussn SSN enable to valid latch clock 20 0 ns tpwssn SSn pulse width between write cycles 50 30 20 ns thssn SSN hold time after SCLK falling 40 ns tsud Data set-up time prior to SCLK falling ns thd Data hold time before sclk falling ns tvd Data valid after SClK rising 30 16 ns 串行接口时序(SPⅠ兼容, Clock phase bit=1, Clock Polarity Bit=0) 写时序 SCK MSB SB 杭州瑞盟科技有限公司版本号:1.32013.12 Http://www.reimon.com 共45页第5页 3瑞盟科技 MS1002 读时序 CK OPCODE DATA 8位操作码 MSB LSB Description 0 ADR2 ADRI ADRO Write into address ADR ADR2 ADRI ADRO Read from address ADR 0 0 0 Power On Reset. 0 0 0 Start Cycle 0 0 0 0 Start tem 0 0 Start Cal Resonator 0 0 0 Start Cal TDC STP使能时序 STOP 69 Description Min (ns) Max (ns) ts-eN Enable setup time tSH-EN Enable Hold Time 复位时序 Reset Start/Stop pt accept 杭州瑞盟科技有限公司版本号:1.32013.12 Http://www.reimon.com 共45页第6页 3瑞盟科技 MS1002 Spec Description Min[ns] Max [ns] t ph Reset pulse width 50ns trfs Time after rising edge of 200ns reset pulse be fore hits are accepted 热敏阻抗: 粗略计算,在0m/s的气流中,为40K/W;在1m/s的气流中,为37K/W;在2 m/s的气流中,为35K/W(这些数值仪做参考) 温度曲线红外回流炉(温度为树脂表面温度)的温度曲线应该在下面所描述的温度范围内取得最高温度树脂表面的最高温度要求为指定260C作为封装芯片表面的峰值温度,是由于在树脂表面的温度在10秒钟內不能超过250%℃。此温度应尽可能的保持低温来减少由于在封装时的热十扰而带来的负荷,也就是说推荐使用较短的焊接时间。另外使用合适的温度曲线,我们也建议您认真地检耷傩认是否焊脚是好的焊接。 Package baay 60 tu 120 seconds plo 35 sewn 杭州瑞盟科技有限公司版本号:1.32013.12 Http://www.reimon.com 共45页第7页 3瑞盟科技 MS1002 管脚排列图弓岳岳 XIN C24P1 .vio GND Fire Fire_In mm LoadT INT B3 CI Sense 管脚描述 No. Name Description Buffer type value If not use 1XIY Oscillator driver in GND Oscillator driver aVio I/0 supply voltage 4 GND Ground 5 Firel Fire pulse generator output 1 6 Fire Fire pulse generator output 2 48mA 7 Fire_In Signal input for quasi"Sing GND Around” 8 INTN Interrupt flag 12mA LOW active Slave select Schmitt LOW active rigger 10SCK Clock serial interface Schmitt triggcr SI Data input serial inter face Schmitt trigger 12S0 Data output serial interface 12ma tristate 13 RSTN Reset input Schmitt LoW active trigger CC Core supply voltage 15 C1k320ut Output 32KHz clock generator n. C 杭州瑞盟科技有限公司版本号:1.32013.12 Http://www.reimon.com 共45页第8页 3瑞盟科技 MS1002 16 C1k32In Input 32KHz clock generator GND 17 Sense Sense input temperature Schmitt measurement trigger 18 LoadT Load output temperature 24mA measurement 19PT4 Port temperature measurement 20PT3 Port3 temperature measurement 48mA 21 GND Ground 22|Vi I/0-supply voltage 23PT2 Port2 temperature measurement 48mA 24PT1 Porti temperature measurement 48mA 25 En_ Stop2 Enable pin stop input 2 Schmitt HIGH active Vio trigger 26 En_Stop1 Enable pin stop input 1 Schmitt HIGH active Vio gger top2 Stop input 2 GND Ground 29 Vcc Core supply voltage 30 Stop Stop input l GND 31 Start Start input 32 En Start Enable pin start input Schmitt HIGH active Vio 注:如有用户对上述管脚不使用的情况,请按照上述“未使用”这栏的接法对不使用的管脚进行设置杭州瑞盟科技有限公司版本号:1.32013.12 Http:/www.relmon.com 共45页第9页 3瑞盟科技 MS1002 电源电压尽管MSI002是一个全数字化电路,但是一些模拟测量还是会影响电路的。这是因为TDC 是基于内部的模拟电路测量“传输延时”来进行的,而“传输延时”是容易受温度和电源电压影晌的。良好的供电电源层是获得良好测量结果的基本保证,并且电源应该具有高电容性和低电感性 MS1002提供两对电源供应端∏: V1o l/0供电电压 Vcc核心供电电压所有的 Ground引脚都应该连接到印刷电路板的地层上。Vio和Vec应该由电池或者固定的线性电压调节器供电,不要用开关调节器,以避免由于I/0电源输入引起的干扰。电流消耗以下的耗电量是各个不同部分的耗电量的总和(所有的数据都是在vio=Vcc=3.6v的状况下测得的): Iddq 150 nA 静电流 I32型值4.5μA 32KHZ振荡器的输入电流,只有在使用32KHZ品振时才会出现此电流典型值260μA/s 高速振荡器的输入电流 (处于激活状态的工作时间) 例如:在超声波流量计中,高速振荡器只需要 L作2ms左右,则平均电沇消耗为260μA/s 2ms-0.52A Itmu典型值15mA/s 时问测量单元的输入电流 (处于激活状态的测量时间) 在测量范围1中每次进行测量时,时间测量单元在测量 start-stop之间的时间间隔和测量相当于两个参老时钟周期的校准时间时处于激活状态。在测量范围2中每次进行测量时,时间测量单儿平均有四个参考时钟周期的时间处于激活状态。两个参考时钟周期的时间用于时间测量两个参考时钟周期的时间用于校准。例如:采用测量范围2,每秒测量10次,参考时钟为 4MZ,则时间测量单元激活的时间大约为 10μs。平均的电流消耗为15mAs*10μs 0.150tA Ialu典型值7nA/校准数据处理(包括校准计算)时ALU的输入电流。例如:每秒中进行1000次测量,每次测量 3个stop信号与 start信号之间的时差,则ALU 的平均电流为7nA*3000=21A IT典型值2.5uAs米测量频率进行一次完整的温度测量的电流典型值是2.5 uAs。在热量表中一般是30秒进行一次温度测量,平均电流大约是0.085uA 杭州瑞盟科技有限公司版本号:1.32013.1208 Http:/www.relmon.com 共45页第10页

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