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进口芯片替代芯片汇总-AD8551_52替代品 MS8551_52_V1.0.pdf
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详细说明：进口芯片替代芯片汇总-AD8551_52替代品 MS8551_52_V1.0.pdf3瑞盟科技
Ms8551/8552/8554
电气参数(V)
(若无特别说明,Vs=+5V,VM=+2.5V,Vo=+25VTA=25℃。)
参数
符号
测试条件
最小值典型值最大值单位
输入特性
输入失调电压
OS
40C≤T≤+125℃
输入偏置电流
10
50
A
10℃C≤T≤+125℃
nA
输入大调电流
40℃≤T≤+125℃
150400pA
输入电压范围
5
共模抑制比
VcM=oV to 5
100
120
CMRR
40℃≤T≤+125℃
dB
95
110
RL= 1OkQ. Vo=0.3v to 4.7V
大信号增益
125
145
dB
40℃≤T≤+125℃
120135
输入失调电压漂移△Ho/△|-10℃≤Ts+125
0.040.05…V/C
输出特性
rl=100ke to gND
4.994.998
输出高电平
40C≤I≤+125℃
4.
4.997
OH
ri= 10kQ to gND
4.954.98
40℃≤T≤+125℃
4.954975
RI=100kQ to +Vs
12
mV
40℃≤1≤+125℃
12
输出低电平
RL=10k9 to +Vs
10
30
-40℃≤T≤+125℃
V
30
40
70
短路电流
M|40c≤T,≤+125℃
MA
电源功耗
电源抑制比
PSRR VS=18vto55V-40℃≤≤+125C110120
dB
静态电流放大器l
Vo-0
850
975
40℃≤T,≤+125℃
A
10001075
动态特性
增益带宽积
GBP AV=+100
MHZ
压摆率
SR Av=+1,RI=10kQ
0.4
过载恢复时间
0.05
ms
噪声特性
电压噪声
enP-P 01Hz to 10Hz
1.0
电压噪声密度
f=1kHz
42
nV/vIIE
电流噪声密度
f= 10Hz
CA/H2
杭州瑞盟科技有限公司
版本号:21201510.10
http://www.relmon.com
共17第3
陈生(销售):18826580495QQ:609091075
3瑞盟科技
Ms8551/8552/8554
电气参数(27V)
(若无特别说明,Vs=+2.7V,VoM=+1.35V,o=+1.35V,TA=25℃
参数
符号
测试条件
最小值典型值最大值单位
输入特性
喻入失调电压
40℃
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