AP8012H：VIPER12A升级版本，pin对pin替代 -AP8012H Datasheet

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详细说明：AP8012H：VIPER12A升级版本，pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 中文版Rev.A.1704.pdfAP8012H 电气特性 (T,=25℃C,V=15V;特殊情况另行说明) 表3.功率部分符号参数测试条件最小典型最大单位 B VDSS 功率管耐压 250uA 750 820 OFE 关态漏电流 Ⅴsw=550V uA oN|功率管导通电阻 400mA.T=25°C 18 表4.控制部分符号参数测试条件最小典型最大单位欠压保护部分 VsTART欠压保护后动电压 VCOMp=0V 13 14.5 16 欠压保扩关断电压 VCOMp=oV 8 Vm欠压保护回差 6.5 VDD重新启动电压 5.5 6 6.5 振荡器部分 F 开关频率 TA=25°C 40 45 50 kHZ FD 抖频范围调制频率 167 DMAX 最大占空比 80 90 反馈部分 IcoMp COMP关断电流 1.2 mA R COMP OMP脚输入阻抗 1.15 ko 限流部分峰值电流 TA=25°C 0.44 0.55 0. A T LEB 最小导通时间 LEB time 软启动时间间歇工作模式工作电流 100 mA 无锡新区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(10)8521718网址;htt:/ww.chipown.com Rev.A.1704 3/10 AP8012H 过温保护部分 TsD 过温保扩温度 140 170 C HYST 过温保护回差 30 工作电流部分 105V 启动管充电电流(SW脚 VCOMP=GND mA DD 12V AP8012(E VDD=16V 作电流 m DD VcoMp=0V AP8012H(L) VDD=16 V, 工作电流 mA I COVP 0 作电压范围 After turn-on 10 35 VD)D过压保护 37 40 43 lDor|DD欠压时消耗电流 VDD-6V 100 400 UA 典型应用 <12V D1-D4 VDD SW COMP Pc817 GND GND AP8012 图1.应用典型线路无锡新区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(10)8521718网址;htt:/ww.chipown.com Rev.A.1704 4/10 AP8012H 典型参数曲线 50 9850 800 10 0 50-250255075100125150 50-250255075100125150 Temperture(℃) e(℃) (a) RDS(on VS T; (b) BvDss vS Tj 160 90 155 8.5 15.0 4.5 14.0 135 13.0 7.0 50-250255075100125150 Junction Temperture(℃) Junction Temperture(℃) VS vs Ti 48 41 工46 37 nction Temperture(℃) Junction Temperture(C (e)Ⅴ oye VS T OSC VS 1 无锡新区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(10)8521718网址;htt:/ww.chipown.com Rev.A.1704 5/10 AP8012H 功能描述启动 AP8012H内韶集成高压启动电路,启动时Sw脚对ⅴDD电源提供充电电流。当ⅤDD电压达到ⅤsA 电压时,内部高压启动电路关闭,ⅤDD电容的能量由变换器提供;当VDD电压低于 V,芯片并不会马上重新启动,只有当VDD电压低到Ⅴsr时,高压启动管开启并为VDD电容充电,直至VDD电压达到 Vs SW VDD UVLO &tsD 图2.启动电路 2.软启动启动阶段,漏极的最人峰佶电流限制逐步的提高:可以人大减小器件的应力,防止变压器饱和。软启动时间典垩值为10ms 3.输出驱动 AP8U12H釆用优化的图腾柱结构,通过合理的输出驱动能力以及死区时间,得到较好的EM特性和较低的损耗。 4.振荡器 AP80l2H的振荡频率固定在45kHz,无需外围电路进行设置。它含有特有的频率抖动技术,可以改善 EMI特性。 5.反馈回路反馈脚通过控制 MOSFET的开通和关断实现输出的稳定。不同于传统的电压模式PWM控制电路, AP8012H采用屯流控制方式(如图3所示),通过内部采样管得到流过功率MOS的电流。从COMP脚流入的电流通过R2进行采样,采样电压(VR2)跟内部基准ⅤR1比较;当VR2的电压超过内部基准电压时,则关断 MOSFET实现环路的控制。 SW VDD VRID ,、 CA>PWM R1 COMP 图3.反馈电路无锡新区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(10)8521718网址;htt:/ww.chipown.com Rev.A.1704 6/10 AP8012H 6.前沿消隐由于SW脚的寄生电容,当MOS开通瞬间存在较大的峰值电流,如果采样 MOSFET采样到该信号,芯片会进入过流保护状态。为了防止MosS开通瞬间引起电路误触发,过流保护电路在功率管开通一段时间(典型值350ns)后才开始工作。 7.欠压锁定由于异常情况导致功率管被关闭后,VD脚电压由于没有提供能量将会一直下降,当VDD电压下降到 VDD重新启动电压(VRST,典型值6v)时,欠压锁定电路被复位,内部高压电流源重新廾始给VDD提供能量。直至VDD电压上升到欠压锁定解除点(典型值14.5V)刑,芯片开始正常工作,功率管正常开启和关闭。通过这种控制方法,心片在异常情况消除后能自动重启动 8.过温保护功率 MOSFET和控制芯片集成在一起,能俣证温度采样电路更准确地采样功率管的温度信号,从而更及时地对功率管进行侏护。当芯片结温超过170℃时(典型值),芯片进入过温休护状态;直全结温回到140℃ (典型值)时,芯片重新开始工作。温度保护存在滞回,保证芯片不会出现热振荡现象。无锡新区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(10)8521718网址;htt:/ww.chipown.com Rev.A.1704 7/10 AP8012H 封装尺寸(DIP-8) 表5.DIP8封装尺寸尺寸尺寸符号最小值(m)最大值(m) 符号最小值(mm)最大值mm) 3.60 4.00 cl 0.23 0.27 Al 0.51 D 9.05 945 A2 3.00 El 6.15 6.5 3 1.55 1.65 2. 54BSC b 0.44 0.53 CA 4. 62BSC bl 0.43 e B 762 9.30 BI 1.52BSC 0.00 0.84 0.24 0.32 图4.外形示意图 WTHELATIG SIMIDNB-i 表层丝印封装 aP8o12H DIP-8 YWWXXXXX 备注:Y:年份代码;WW:周代杩; XXXXX:内部代码无锡新区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(10)8521718网址;htt:/ww.chipown.com Rev.A.1704 8/10 AP8012H 封装尺寸(SOP-7) 表6.SOP-7封装尺寸尺寸尺寸最小(mm)正常(mm)最大m 最小mm)正常m)最大(m) 符号符号 A 1.3 1.55 1.75 0.45 ().60 ().80 ).10 ).15 L. 04REF A2 0. 25BSC A3 0.50 0.60 0.70 R 0.07 b 0.38 0.51 RI 0.07 b1 0.37 7 h 0.30 0.40 0.50 25 0° cI 0.17 0.20 01 4.80 490 500 E 5.80 6.00 6.20 03 15° 17 3.80 3.90 4.00 11° 13 15 1.270(BSC) 图5.外形示意图 0 8 2 D 目 INDEX BASE METAL SECTION B-B 由由日日表层丝印封装 AP8012H SOP-7 YWWXXXXX 备注:Y:年份代码;WW:周代码;ⅩXXXX:内部代码无锡新区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(10)8521718网址;htt:/ww.chipown.com RsvA.17049/10 AP8012H 重要声明无锡芯朋微电子股份冇限公司保留更改规格的权利,恕不另行通知。无锡芯朋微电子股份有限公司对任何将其产品用」特殊目的的行为不承担任何责任,无锡芯朋微电子股份有限公司没有为用」特定目的产品提供使用和应用支持的义务。无锡芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他的相关许可权利。无锡新区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(10)8521718网土;htp:/www.chipown.com Rev.A1704 10/10

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