pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.

文件名称: pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.pdf

所属分类: 其它

开发工具:

文件大小: 344kb

下载次数: 0

上传时间: 2019-09-03

提供者: weixin_********

下载 (344kb)

不能下载？报告错误

详细说明：pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.pdf电气特性 (T=25°℃C,V=15V:特殊情况另行说明) 表功率部分符号参数测试条件最小典型最大单位 B VDSS 功率管耐压 ISw-250uA 750 800 关态漏电流 Ⅴsw=550v 100 uA R - DSON 功率管导通电阻 Isw=400mA,T.=25°C 表控制部分符号参数测试条件最小典型最大单位欠压保护部分 VSTART欠压保护后动电压 VCOMP=0V 13 16 STOP 欠压保护关断电压 VCOMP=OV 8 HYS 欠压保护回差 6.5 T VDD重新启动电压 5.5 6 振荡器部分 F 开关频率 TA=25°C 54 60 66 kHZ FD 抖频范围调制频率 250 DMAX 最大占空比 80 90 反馈部分 COMP关断电流 1.2 m RcOMP(xOMP脚输入阻抗 1.15 ko 限流部分 M|峰值电流 TA=25°C 0.6 0.75 0.9 A T LEB 最小导通时间 LEB time 650 软启动时间 7.5 ns BM 间歇工作模式工作电流 150 mA 无锡新区龙山路旺庄科技创业咔心C幢13层电话:+86(51)85217718网址:htp:/www:chipown.com Rev.A1702 过温保护部分 T 过温保扩温度 140 cC T HYST 过温保护回差 30 工作电流部分 VuRAIN=105 V 启动管充电电流(SW脚 MMP-( mA VD=12Ⅴ 16V 作电流 m COMP 0V 工作电压范围 After turn-on 10 35 OVP VDD过压保护 37 40 43 DD OFF DD6 100 400 典型应用 YYYY D1-D4 (2VG> △ J1 SW COMP PC817 GND SW AP8022H 图1.应用典型线路无锡浙区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(510)85217718网址;htp:/www.chipowr.com Rev.A1702 典型参数曲线 50 之 8 850 750 751001 150 50-250255075100125150 Junction Temperture(c) Junction Temperture(C a)RDS(on)VS T (b)BoSs vs t 16.0 155 8.5 15.0 145 7.5 13.5 13.0 7.0 255075100125150 255075100125150 Junction Temperture(C) Junction Temperture (C) (c)v START VS T; (d)vs STOP VS 巧 75 40 65 38 37 Junction Temperture(℃ Junction Temperture(℃ (e)VovpⅤsTi (f Fosc vS t 无锡浙区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(510)85217718网址;htp:/www.chipowr.com Rev.A1702 功能描述启动 AP8022H内部集成高压启动电路,启动时SW脚对ⅤDD电源提供充电电流。当ⅤDD电压达到 V电压时,内部高压后动电路关闭,VDD电容的能量由变换器提供;当VDD电压低于Ⅴsrop,芯片并不会马上重新启动,只有当VDD电压低到Vgr时,高压启动管开启并为ⅴDD电容充电,直至VDD电压达到 canto SW VDD UVLO &TSD 图2.启动电路软启动启动阶段,漏极的最人峰值电流限制逐步的提髙:可以人人减小器件的应力,防止变压器饱和。软启动时间典型值为75ms。输出驱动 AP8022H采用优化的图腾柱结构,通过合理的输出驱动能力以及死区时间,得到较好的FM特性和较低的损耗。振荡器 AP8022H的振荡频率固定在60kHz,无需外围电路进行设置。它含有特有的频率抖动技术,可以改善EMI 特性。反馈回路反馈脚通过控制 MOSFET的开通和关断实现输出的稳定。不同于传统的电压模式PWM控制电路,AP8022H 采用电流控制方式(如图3所示),通过内部采样管待到流过功率MOS的电流。从COMP脚流入的电流通过 R2进行采样,采样电压(VR2)跟内部基准VRI比较;当VR2的电压超过内部基准电压时,则关断 MOSFET 实现环路的控制。 SW VDD VR1 WM COMP 图3.反馈电路无锡浙区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(510)85217718网址;htp:/www.chipowr.com Rev.A1702 前沿消隐由于Sw脚的寄生电容,当MUS开通瞬间存在较大的峰值电流,如果采样 MOSFET采样到该信号,芯片会过入过流保护状态。为了防MoS开通瞬间引起电跻误触发,过流保护电路在功率管开通一段时间(典型值650ns) 后才开始工作。欠压锁定由于异常情况导致功率管被关闭后,VDD脚电压由于没有提供能量将会一直下降,当VDD电压下降到 VDI〕重新启动电压(Ⅴsr,典型值6V)时,欠压锁定电路被复位,内部高压电流源重新开始给Ⅴ》)提供能量直至ⅤDD电压上升到欠压锁定解除点(典型值14.5V)时,心片开始正常工作,功率管正常开启和关闭。通过这种控制方法,芯片在异常情况消除后能自动重启动过温保护功夲 MOSFET和控制芯片集成在一起,能保证温度采样电路更准确的采样功率管的温度信号,从而更及时地对功率管进行保护。当芯片结温超过170℃时(典型值),芯片进入过温保护状态;直至结温凹到140℃(典型值)时,芯片亘新开始工作。温度保护存在滞囯,保证芯片不会岀现热振荡现象。无锡浙区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(510)85217718网址;htp:/www.chipowr.com Rev.A1702 封装尺寸表封装尺寸尺寸尺寸最小值符号最大值最小值最大值符号 3.60 4.00 c 0.23 0.27 Al 0.51 D 9.05 945 A2 3.00 3.40 El 6.15 6.5 A3 1.55 1.65 2. 54BSC b 0.44 0.53 CA 7. 62BSC bI 0.43 0.48 e B 7.62 BI 1.52BSC 0.00 0.84 0.24 0.32 300 图外形示意图 SICIONRE 表层丝印封装 AP8022H DIP-8 YWwⅹXXXX 备注:Y:年份代码;WW:周代码;XⅩⅩXX:内部代码无锡浙区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(510)85217718网址;htp:/www.chipowr.com Rev.A1702 重要声明无锡芯朋微电子股份冇限公司保留更改规格的杈利,恕不另行通知ε无锡芯朋黴电子股份有限公司对任何将其产品用于特姝目的的行为不承担任何责任,无锡芯朋微电子股份有限公司没有为用」特定目的产品提供使用和应用支持的义务。无锡芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他的相关许可权利无锡浙区龙山路旺庄科技创业中心C幢13层电话:+86(510)85217718网址;htp:/www.chipowr.com Rev.A1702

(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)