文件名称:
与万用表结合使用的FET VP、VOO检验器
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文件大小: 46kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-07-16
详细说明：电路的功能
场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，用转换开关选择电阻R1~3，设定工作电流，R值可用R=15/ID计算。
电路工作原理
在OP放大器反相放大电路中，使流过反馈回路的电流与输入电阻确定的电流相等，因此FET漏极电流EB由栅极电压VGS确定。即OP放大器A1构成伺服电路，用A1的输出控制反相输入端的电位，使基等于零。
齐纳二极管D3和D4产生±9V的电压对被测对象（DUT）的栅极电压进行拖箝位使电路不至加异常电压。R5是限流电阻，用来控制栅极电流，使基不至过大（通常几乎无电流流过）。
FET有N沟道和P沟道两种型式，因此可用SW1切换输入电压的极性，满足这两种型号的需要。测试开关SW2在无DUT时，栅极端子电压高于夹断电压，OP放大器的输出对于NOA来说为负，对于POH为正，在进行正常测试时，OP放大器输出为VGS。工作电流ID为1UA时，R1=15/10的-6次方=15M，
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