文件名称:
多热源合成SiC温度场的动态数学模型及数值分析
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文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2020-07-19
详细说明：通过对多热源合成SiC冶炼炉的传热学分析,确定了冶炼炉温度场的边界条件,建立了冶炼炉温度场的动态数学模型,采用有限单元法对温度场进行了数值分析.以工业试验为基础,对碳化硅冶炼炉温度场进行了数值求解,数值模拟得到最佳供电时间为66~72 h,工业试验为60~75 h,结果与工业试验吻合.该方法可进一步确定工业生产中的供电参数、炉体参数及物料配比,为工业生产提供理论指导.
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