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文件名称: 开关电源MOSFET的交越损耗分析.docx
  所属分类: 电信
  开发工具:
  文件大小: 104kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-09-27
  提 供 者: qweas******
 详细说明:随着环保节能的观念越来越被各国所重视,电子产品对开关电源需求不断增长,开关电源的功率损耗测量分析也越来越重要。由于开关电源内部消耗的功率决定了电源热效应的总体效率,所以了解开关电源的功率损耗是一项极为重要的工作。本文详细分析开关电源的核心器件之一---MOSFET开关管的交越损耗,从而使电子工程师更加深入理解MOSFET产生损耗的过程。
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