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元器件应用中的MOS管被静电击穿的原因分析
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
静电击穿有两种方式;
一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;
二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。
现在的mos管没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大，感应不出高压。若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环试试，基本上摸一个挂一个。
与干燥的北方不同，南方潮湿不
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