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上传时间: 2020-10-15
详细说明：基于0.25 μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，设计一款工作在13～16 GHz的双相压控衰减器。电路采用平衡式结构，以获得小的输入、输出回波损耗；衰减器部分采用T型衰减结构和π型衰减结构级联的方式；并联支路采用多栅开关管串联的形式，减小寄生，提高线性度。仿真结果表明，所设计的压控衰减器在工作频带（13～16 GHz）内，输入、输出回波损耗小于-14 dB,插入损耗为-12.5 dB,衰减范围达到20 dB以上，输入1 dB压缩点大于30 dBm，芯片尺寸为1.8 mm×1.2 mm。
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