文件名称:
嵌入式系统/ARM技术中的惠普海力士合作打造忆阻器存储
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文件大小: 64kb
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上传时间: 2020-10-23
详细说明：惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。
忆阻器技术的研究实际上已有数十年的历史。1971年，加州大学伯克利分校Leon Chua教授预测，在电容、电阻和电感之外，还存在第四种基本元件：记忆电阻（Memristor）。这种电阻能够通过施加不同方向、大小电压，改变其阻值。由于可以使用不同阻值代表数字信号，忆阻器在计算机存储领域应用前景广泛。它使用单个元件就可以实现一组闪存电路的功能，并且耗能更少，速度更快
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