文件名称:
模拟技术中的估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升
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文件大小: 255kb
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上传时间: 2020-10-23
详细说明：我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。一种估算热插拔MOSFET 温升的简单方法进行研究根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。
本文中，我们把图1 所示模型的瞬态响应与图3 所示公开刊发的安全工作区域（SOA 曲线）部分进行了对比。
图1 将散热容加到DC 电气模拟电路上
根据CSD17312Q5 MOSFET、引线框以及贴装MOSFET 的印制电路板（PWB） 的物理属性，估算得到图1的各个值。在查看模型时，可以确定几个重要的点。要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作
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