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上传时间: 2020-10-21
详细说明：第1部分
增强型氮化镓（eGaN）FET与硅功率MOSFET相比有许多优势，而且就像MOSFET一样，许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍，所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成两部分，讨论了这些挑战并提出了如何获得优异性能的建议。
本文介绍了5种采用半桥配置的基本设计，其中每个开关使用了4个EPC2001并联器件（100V、25A）。还讨论了每个参量因子的优缺点。最后展示了一种使用并联eGaN FET设计的1MHz降压转换器，与相似电路中的先进硅器件相比，该器件具有特别优异的性能。
在这篇文章中，我们把
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