文件名称:
模拟技术中的确定JFET特性的简单电路
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文件大小: 110kb
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上传时间: 2020-10-21
详细说明：当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=β（VGS-VP）2,其中，ID是漏极电流，VGS是栅源电压，β是跨导参数，而VP是栅极的截止电压。与此近似，用下式可得栅源电压为0V时的零漂移漏极电压：IDSS=βVP2,其中IDSS是零漂移漏极电流。
图1是N沟道JFET的特性图，图中显示了一组器件可能的差异。例如，2N4416A数据表列出的截止电压为-2.5V~-6V,零漂漏极电流可以从5mA~15mA.对一些器件样品做观察，可发现这两个参数之间有相关性。图中靠外的曲线就表示出
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