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文件名称: 元器件应用中的基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
  所属分类: 其它
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  文件大小: 207kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-10-20
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:摘要:绝缘体上硅(Silicon On Insulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE(Sentaurus Structure Editor)工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构,并且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真,使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压(Vth=1.104V)和饱和电流(Idsat=3.121E-4A)。   1.引言
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