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基础电子中的VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面？
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文件大小: 154kb
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上传时间: 2020-10-19
详细说明：硅器件弥补性能差距 尽管砷化镓有上述公认的缺点，但与硅器件相比其卓越的噪声系数和三阶截取（IP3）线性度会胜过这些不足。然而，随着当今新技术发展的优势逐渐克服传统的局限，硅器件已经是GaAs较强的竞争对手，可以提供更经济和更可靠的解决方案。 IDT公司的F2912等新一代RF开关采用SOI技术，可以在或靠近PA装配线的非常高的温度环境下可靠地工作。这些新的硅基开关在温度高达+120℃时仍具有卓越的性能（0.4dB插入损耗，+65dBm IP3，60dB隔离度）。
类似于IDT F1240等新一代硅中频（IF）可变增益放大器通过集成FlatNoise 技术已经使信噪比（SNR）实现
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