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电源技术中的反激变换器的RCD吸收回路设计实例
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文件大小: 256kb
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上传时间: 2020-11-05
详细说明：在这部分展示一个实例，适配器采用FSDM311，工作规范AC85～265V的输入电压范围。10W 输出功率、5V输出电压、67 kHz的开关频率。此时，RCD吸收回路选择1 nF吸收电容，480kΩ吸收电阻，图1示出波形。
漏电压（Vds 200V／div）、电源电压（VCC 5V／div）、反馈电压（Vfb 1V／div）、漏电流（Id 0.2A/div）按下面次序，内部MOSFET最大电压应为675V，数据表中给出为 650V。超出此值有二个原因，其一是变压器设计不当；其二是吸收回路设计不当，1 nF 电容和480k0电阻的稳态波形如图2 所示，给出比较正确的结果。
如上所述，
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