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上传时间: 2020-11-03
详细说明:自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。
过去,ECC一直被用于提高NAND闪存子系统的整体数据可靠性。但是,随着NAND单元不断缩小,每个浮栅内贮存的电子数量越来越少。因此,为弥补更小的存储单元所产生的更高的位误码率,我们必须大幅提高ECC纠错能力,以维持所需的系统可靠性。
随着系统对ECC纠错要求不断提高,实现ECC逻辑所需的逻辑门数量也在增加,同时系统复杂性也随之提高。例如,24位EC
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