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文件名称: PCB技术中的用PQFN封装技术提高能效和功率密度
  所属分类: 其它
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  下载次数: 0
  上传时间: 2020-11-03
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:当今大多数电子产品设计都要求高能源效率,包括非消费型电子设备在内,例如工业马达驱动器和电信网络基础设施。对于电源而言,同样需要高功率密度和可靠性,以便降低总拥有成本。   随着开关模式电源转换成为业界标准(与线性电源相比具有更好的功率密度和效率),组件设计人员设法通过芯片级创新和改进封装来不断提升功率MOSFET的导通和开关性能。芯片的不断更新换代使得在导通电阻(RDS(ON))和影响开关性能的因素(如栅极电荷QG)之间的平衡方面逐步取得进展。   国际整流器公司(IR)目前可提供多种不同的芯片,从而使电源设计人员有机会在中低压范围内选择导通和开关性能最优组合的器件。   封装创新主要集
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