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模拟技术中的利用MOSFET降低传导和开关损耗
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上传时间: 2020-11-03
详细说明：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高，也要求更低的导通阻抗，同时不能影响非钳位电感性开关（UIS）能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30～200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案。现在，通过提高开关性能，导通阻抗Rds（on）已能降低50%及以上，从而提高效率，为更高频率工作
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