文件名称:
2×8低噪声InGaAs／InP APD读出电路设计
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文件大小: 218kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-11
详细说明：0 引言
在红外通信的1 310～1 550 nm波段，高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs／InP APD，两者相比较，InGaAs／InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层的结构。
APD探测器的最大缺点是暗电流相对于信号增益较大，所以设计APD读出电路的关键是放大输出弱电流信号，限制噪声信号，提高信噪比。选择CTIA作为读出单元，CTIA是采用运算放大器作为积分器的运放积分模式，比较其他的读
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