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文件名称: 元器件应用中的雪崩光电二极管反向电流的测量
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2020-11-08
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:雪崩光电二极管(APD)是一种高灵敏度、高速度的光电二极管。施加反向电压时,能启动其内部的增益机构。APD的增益可以由反向偏置电压的幅度来控制。反向偏置电压越大增益就越高。APD在电场强度的作用下工作,光电流的雪崩倍增类似于链式反应。APD应用于对光信号需要高灵敏度的各种应用场合,例如光纤通讯、闪烁(scintillation)探测等。   对APD的测量一般包括击穿电压、响应度和反向偏置电流等。典型APD的最大额定电流为10-4到10-2A,而其暗电流则可低达10-12到10-13A的范围。最大反向偏置电压随APD的材料而变化,铟砷化镓(InGaAs)材料的器件可达100V,硅材料的器件则
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