文件名称:
电源技术中的为LM510X系列器件选择外置的自举二极管
开发工具:
文件大小: 33kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-08
详细说明:在类似半桥转换器或者同步降压转换器的应用中,将功率MOSFET用作高侧开关的栅极驱动的要求总结如下:
——栅电压必须比电源电压高出6至12V。为了完全开启高侧开关,必须将栅源电压提高到大于阈值电压加上完全开启MOSFET所需的最小电压。
——必须通过逻辑电平控制栅电压,通常会以接地为参考电压。因此,需要将控制信号电平移位到高侧MOSFET的源极(HS结点),而在大多数应用中,电平在接地和高压轨之间摆动。
——必须将栅驱动器的功耗维持在封装散热的限制之内。高度集成的栅驱动器IC集成了下列模块。
——低侧栅极驱动器
——高侧电平移位器
——高侧栅极驱动器
——高侧和低侧驱动器的欠压锁
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台,提供交流渠道,下载内容来自于网络,除下载问题外,其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链,请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源,下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载,请稍后再次尝试;或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎,请到消费记录里找到下载记录反馈给我们,经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问,可以通过点击"提供者"的名字,查看对方的联系方式,联系对方咨询.