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文件名称: 电源技术中的为LM510X系列器件选择外置的自举二极管
  所属分类: 其它
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  文件大小: 33kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-11-08
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:在类似半桥转换器或者同步降压转换器的应用中,将功率MOSFET用作高侧开关的栅极驱动的要求总结如下: ——栅电压必须比电源电压高出6至12V。为了完全开启高侧开关,必须将栅源电压提高到大于阈值电压加上完全开启MOSFET所需的最小电压。 ——必须通过逻辑电平控制栅电压,通常会以接地为参考电压。因此,需要将控制信号电平移位到高侧MOSFET的源极(HS结点),而在大多数应用中,电平在接地和高压轨之间摆动。 ——必须将栅驱动器的功耗维持在封装散热的限制之内。高度集成的栅驱动器IC集成了下列模块。 ——低侧栅极驱动器 ——高侧电平移位器 ——高侧栅极驱动器 ——高侧和低侧驱动器的欠压锁
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