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文件名称: 晶体二极管开关转换过程分析
  所属分类: 其它
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  文件大小: 113kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-11-06
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:0 引言   晶体二极管开关电路在数字系统和自动化系统里应用很广泛,在晶体二极管开关特性实验中,其开关转换过程中输出与输入存在时间上的延迟或者滞后,研究晶体二极管开关特性主要是研究其开关状态转换过程所需时间的长短。Microsemi公司研制的DQ系列二极管具有超快速软恢复等优点,极大地提高了晶体二极管的开关速度。随着技术的发展,新型的SiC肖特基势垒二极管与采用Si或GaAS技术的传统功率二极管相比,SiC肖特基二极管(SiC-SBD)可大幅降低开关损耗并提高开关频率。在AM-LCD中,用C60制作的势垒二极管作为有源矩阵的开关,其工作速度也很快。作为开关器件使用时,其由开到关或由关到开所需
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