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文件名称: 电源技术中的PWM DC/DC转换器MOSFET的主要特性和参数
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2020-11-16
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:1)静态特性及参数   (1)输出特性:MOSFET的输出特性如图所示,其特点是栅一源电压UGS控制漏极电流ID。   (2)漏极(额定)电流ID:MOSFET的电流容量(幅值)(如DGS=10V)。   (3)漏一源击穿电压BUDS是指该型号MOSFET或该管最大瞬时电压的耐压,当漏一源电压UDS超过BUDS时,漏一源极之间雪崩效应电流激增9瞬间 局部过热损坏。BUDS为正愠度系数,结温每升高10℃,BUDS约增大1%。   (4)开启电压UGS(th),又称为阈值电压,如3.2V、1.5V。栅一源电压超过此值时,漏极电流由小到显着增大;如图1(a)中UGS=3.5V曲线已明显 离开
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