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文件名称: RFID技术中的最大磁通密度的计算
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2020-11-16
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:在工作状态下,变压器的温升主要是由磁心损耗和绕组的铜损引起的。为了降低变压器的温升,就必须减小变压器的铁损和铜损。变压器的总损耗与温升成正比,而与变压器的热阻成反比,可以近似地用式(6-74)表示   式中 △P∑——变压器的总损耗;          △T——变压器的温升;          Rth,——变压器的热阻。   磁心损耗与有效磁心体积之间存在一定的关系。设磁心损耗占变压器总损耗的一半,则最大磁心损耗密度Pcore可以表示为允许温升△T和有效磁心体积Vc,的函数如式(6-75)所示   最大磁心损耗密度nI与磁通密度峰值Bpk之间存在以下关系:   式中,C
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