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上传时间: 2020-11-14
详细说明：4晶体管式单元在集成方面是有优势的，但在功耗及低电压驱动上却存在问题。为了解决这样的问题，利用P沟道的MOSFET置换4晶体管单元的电阻部分，构成6晶体管单元。 6晶体管单元的电路构成如图所示，与4晶体管单元相比，单元变得较大。图中Q1和Q5以及Q2和Q6分别形成CMOS结构，这样，漏电流也变小，就可以将待机电流控制得很小。
图 6晶体管SRAM存储器单元
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