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上传时间: 2020-11-14
详细说明：FRAM是半导体技术的新发展。顾名思义，FRAM不像RAM那样的易失性。相反，它不需要用电源来保持数据。在FRAM里是利用铁电材料的特性来存储数据的，结构与EEPROM的结构相类似，而只是在控制栅和浮动栅之间具有铁电物质，FRAM单元的剖视图见1所示。
图1 以0.5μm技术制造的FRAM单元的剖视图（左边的两个浅色的矩形是在半导体 表面的控制引线；右边的水平矩形是实际的FRAM单元，在两个电极之间看到的 暗层是铁电材料。PRAM单元的宽度大约为2μm，由富士通公司提供）
FRAM具有智能卡存储器所有理想的性能，它只需用5V来编程，编程时间大约为100ns，而最大编程次数大
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