文件名称:
显示/光电技术中的雪崩光电探测器结构和能带
开发工具:
文件大小: 55kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-14
详细说明：在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/InP雪崩光电探测器结构和能带示意图LZII。在p＋-InP上生长n-InGaAsP，再通过衬底注入锌形成InGaAsP的pn结，最后覆盖一层n-InP。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻，阻止了光生载流子向表面扩散引起的复合。
图1 InGaAsP/InP雪崩光电探测器结构和能带
欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.d
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
