开发工具:
文件大小: 59kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-13
详细说明：微电子工艺之所以会有今天的发展，二氧化硅做为一种优质的绝缘材料起着至关重要的作用。对于光波导器件来说，最合适生长上包层二氧化硅的做法也是采用氧化工艺。热氧化分为干氧氧化和湿氧氧化两种。干氧氧化的化学反应式为：
氧化一般是将硅片放在石英炉内，调节反应气体的流量和温度，温度一般为750～1200℃。热氧化工艺一般用Deal和Grove模型描述
这里砒是二氧化硅的厚度，莎是氧化时间，A、B、τ分别是跟氧气在硅表面反应速率、氧气分子在氧化物中的扩散、说明初始氧化存在的表示时间坐标偏移的常数。可以根据具体的实验条件测出来。在开始氧化时，（τ＋t）《（A(2) / 4B），这是
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
