文件名称:
显示/光电技术中的工艺下集成光电探测器
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上传时间: 2020-11-13
详细说明：集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因素。
图1 基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管
图1中介绍了—种基于0.6 gm标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管结构［71］。N＋埋层集电极用来做探测器的阴极，阳极由P＋源/漏注入形成，工艺中的N阱则用来形成PIN光电二极管的I层，其厚度仅有0.7 gm，因此，该探测器的量子效率不会太高。入射光波长为850 nm时，响应度只有0.07 A/W。对于波长较小的入射光，由于其渗透深度较浅，可能会获得比较好的响应度指标。面积为75×15 p.m-2的光电二极
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