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上传时间: 2020-11-13
详细说明：在硅中掺入稀土元素能引入局部限制中心，可以实现受激辐射复合。在这种发光情况下，硅材料本身并不是直接发光，而是起到宿主的作用产生带电载流子。这些电荷进入发光中心产生准禁带发光。
在硅中掺入铒离子（Br3＋）能实现1.54 gm的有效发光，其能级结构如图1所示。图中左边是Er3＋自由离子能级，右边部分是Br3＋掺入硅中后的能级图，由于晶格场引起的能级分裂现象是很明显的。1.54 gm左右的发射光谱是由第一激发态与基态之间的辐射跃迁引起的。图2中的虚线表示硅的禁带宽度。
图1 Er3＋中的4f能级图
可以采用离子注入、分子束外延、化学气象沉积（CVD）等工艺将Br掺入硅中。其中
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