文件名称:
显示/光电技术中的基片的SOl氧注入分离法
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文件大小: 37kb
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上传时间: 2020-11-13
详细说明：氧注入分离法是将大量的氧离子注入到单晶硅片表面一层薄膜之下，对于大批量生产很有意义。虽然其工艺概念较简单，但是对于器件级的SOl来说，其工艺冗余度却比较低。
我们通过注入剂量，即每平方厘米注入到基片中的离子数来描述注入的总离子数。一般在SIMOX中需要总的注入剂量通常为>1018cm-2，而通常CMOS工艺中的注入剂量为1016cm-2，较SIMOX要小2个数量级。
氧离子以200 keY的能量注入到硅中，这个能量决定了氧化层的深度和表层硅的厚度。在低剂量注入的情况下，二氧化硅一般为高斯分布，而在高剂量注入并退火后，二氧化硅分布较均匀，可以认为它与上下两硅层之间是突变的。
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